نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET
حداکثر ولتاژ درین-منبع (V_DS): 60 ولت
حداکثر جریان درین (I_D): 92 آمپر
مقاومت درین-منبع (R_DS(on)): 9.2 میلیاهم (حداکثر)
حداکثر توان (P_D): 150 وات
ولتاژ گیت-منبع (V_GS): ±20 ولت
زمان سوئیچینگ (t_on): 60 نانوثانیه (حداکثر)
زمان خاموش شدن (t_off): 160 نانوثانیه (حداکثر)
دمای عملیاتی: -55 تا +150 درجه سانتی
وضعیت : اورجینال